Evaluation eines AlX-Bonddrahtes zur Kontaktierung von Leistungsmodulen
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IPE
In herkömmlichen leistungselektronischen Modulen werden Halbleiterchips durch Aluminium-Dickdrahtbonding mit dem DCB-Substrat kontaktiert. Aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten zwischen den Aluminiumdrähten und den Kontaktierstellen treten während dem Betrieb durch Temperaturschwankungen hohe mechanische Spannungen auf, die zur Ermüdung der Verbindungsstelle und zum vorzeitigen Ausfall des Leistungsmoduls führen.
Der konventionelle Aluminiumdraht soll durch einen von der Firma Heraeus entwickelten AlX-Draht ersetzt werden, da diese eine höhere Lebensdauer der Kontaktierung verspricht.
Aufgrund der unterschiedlichen Materialeigenschaften des AlX-Bonddrahtes, müssen die Bondparameter angepasst bzw. mittels einer Versuchsplanung systematisch optimiert werden.