Ermittlung der Verlustleistung und thermischen Leistungsgrenzen von leistungselektronischen Si- und SiC-Halbbrücken

by Robert Hasenfratz

Tuesday Jun 2, 2015, 11:00 AM → 12:00 PM Europe/Berlin

R114

Der weitere Ausbau der Elektromobilität erfordert auch im Bereich der Leistungselektronik neue Technologien und Verbesserungen um den Anforderungen an Elektrofahrzeuge gerecht zu werden.   Zur Erhöhung der Leistungsdichte, Schaltfrequenz und Betriebstemperatur sollen Si-IGBTs durch SiC-MOSFETs ersetzt werden. Hierzu ist allerdings eine verbesserte Aufbau- und  Verbindungstechnik (AVT) notwendig.

Es werden selbst designte SiC-MOSFET Halbbrücken mit neuartiger AVT mit einem marktüblichen Si-IGBT-Modul simulativ untersucht und verglichen, um aufzeigen zu können wie groß das Verbesserungspotential ist. Außerdem wird der Aufbau der SiC-MOSFET-Halbbrücken im Labor erläutert und ein messtechnischer Aufbau zu Bestimmung von Schalt- und Durchlassverlusten beschrieben.